Zobrazeno 1 - 10
of 41
pro vyhledávání: '"Kazakov, Igor P."'
Autor:
Alhassan, Sultan, Felix, Jorlandio F., Marroquin, John Fredy R., Alshammari, Alhulw H., Al mashary, Faisal, de Azevedo, Walter M., Alhassn, Amra, Alghamdi, Haifa, Al Saqri, N., Kazakov, Igor P., da Silva, SebastiãoW., Henini, Mohamed
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing 15 August 2024 179
Autor:
Alghamdi, Haifa, Alhassni, Amra, Alhassan, Sultan, Almunyif, Amjad, Klekovkin, Alexey V., Trunkin, Igor N., Vasiliev, Alexander L., Galeti, Helder V.A., Gobato, Yara Galvão, Kazakov, Igor P., Henini, Mohamed
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 5 June 2022 905
Autor:
Alhassan, Sultan, de Souza, Daniele, Alhassni, Amra, Almunyif, Amjad, Alotaibi, Saud, Almalki, Abdulaziz, Alhuwayz, Maryam, Kazakov, Igor P., Klekovkin, Alexey V., Tsekhosh, Vladimir I., Likhachev, Igor A., Pashaev, Elkhan.M., Souto, Sergio, Gobato, Yara Galvão, Saqri, Noor Al, Galeti, Helder Vinicius Avanço, Al mashary, Faisal, Albalawi, Hind, Alwadai, Norah, Henini, Mohamed
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 10 December 2021 885
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alhassan, Sultan, de Souza, Daniele, Alhassni, Amra, Almunyif, Amjad, Alotaibi, Saud, Almalki, A., Alhuwayz, M., Kazakov, Igor P., Klekovkin, Alexey V., Tsekhosh, Vladimir I., Likhachev, Igor A., Pashaev, Elkhan.M., Souto, Sergio, Al Saqri, N., Vinicius, Helder, Albalawi, Hind, Alwadai, Nourah, Henini, Mohamed
Current-Voltage (I-V), Capacitance-Voltage (C-V), Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS), Laplace DLTS, Photoluminescence (PL) and Micro-Raman techniques have been employed to investigate the effect of the orientation of the substrates on the struc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::86d7fd58ee0ac9b7c954fa42a3709b6a
Autor:
de Souza, Daniele, Alhassan, Sultan, Alotaibi, Saud, Alhassni, Amra, Almunyif, Amjad, Kazakov, Igor P., Klekovkin, Alex Vladimirovich, Zinov'ev, Sergey A., Likhachev, Igor, Pashaev, Elkhan, Souto, Sergio, Galvao Gobato, Y., Galeti, Helder V.A., Henini, Mohamed
In this paper, we report on the structural and optical properties of n-type Si-doped and p-type Be-doped GaAs(1?x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates with nominal Bi content x=5.4%. Similar samples without Bi were
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::07360ec699cc5c4ee3ca868a441ec4d6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.