Zobrazeno 1 - 10
of 71
pro vyhledávání: '"Kawasaki, Osamu"'
Autor:
Zmuidzinas, Jonas, Gao, Jian-Rong, Miura, Fumiya, Takakura, Hayato, Sekimoto, Yutaro, Inatani, Junji, Matsuda, Frederick, Oguri, Shugo, Kashiwazaki, Miu, Nakamura, Shogo, Ueno, Tomonaga, Ito, Akira, Kawamura, Motoi, Kawasaki, Osamu, Sakai, Atsushi
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; August 2024, Vol. 13102 Issue: 1 p131021S-131021S-11, 12971091p
Publikováno v:
In Experimental Cell Research 1 January 2018 362(1):111-120
Autor:
Kobayashi, Daisuke, Hirose, Kazuyuki, Sakamoto, Keita, Okamoto, Shogo, Baba, Shunsuke, Shindo, Hiroyuki, Kawasaki, Osamu, Makino, Takahiro, Ohshima, Takeshi, Mori, Yoshiharu, Matsuura, Daisuke, Kusano, Masaki, Narita, Takanori, Daisuke, Kobayashi, Kazuyuki, Hirose, Hiroyuki, Shindo, Takahiro, Makino, Takeshi, Ohshima
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 67(1):328-335
Single-event upset (SEU) hardness varies across dies, wafers, and lots—even just after fabrication and further across time. Mechanisms of postfabrication variations include total ionizing dose (TID) effects, which are caused by long-term radiation
Autor:
Mori, Yoshiharu, Kusano, Masaki, Kobayashi, Daisuke, Hirose, Kazuyuki, Sakamoto, Keita, Okamoto, Shogo, Baba, Shunsuke, Shindou, Hiroyuki, Kawasaki, Osamu, Makino, Takahiro, Ohshima, Takeshi, Matsuura, Daisuke, Narita, Takanori, Ishii, Shigeru
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 67:328-335
著者人数: 14名
Accepted: 2019-11-26
資料番号: SA1190197000
Accepted: 2019-11-26
資料番号: SA1190197000
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hayashi, Naoki, Mori, Yoshiharu, Kusano, Masaki, Kobayashi, Daisuke, Hirose, Kazuyuki, Kakehashi, Yuya, Kawasaki, Osamu, Makino, Takahiro, Ohshima, Takeshi, Matsuura, Daisuke, Narita, Takanori, Ishii, Shigeru, Masukawa, Kazunori
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 66(1):155-162
著者人数: 13名
Accepted: 2018-11-13
資料番号: SA1180337000
Accepted: 2018-11-13
資料番号: SA1180337000
Autor:
Kobayashi, Daisuke, Hayashi, Naoki, Hirose, Kazuyuki, Kakehashi, Yuya, Kawasaki, Osamu, Makino, Takahiro, Ohshima, Takeshi, people, Others,many, Takahiro, Makino, Takeshi, Ohshima
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 66(1):155-162
Static random access memory (SRAM) is one the most sensitive devices to radiation. It may often exhibit undesired reversals of memory bits, called single-event upsets or soft errors. Sensitivity to such undesired events is widely quantified with the
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
KAWASAKI, Osamu, HIROSE, Kazuyuki, SHINDO, Hiroyuki, KOBAYASHI, Daisuke, TSUCHIYA, Yuta, SAKAMOTO, Keita, SUZUKI, Masao, MORIKAWA, Koichi, OKAMOTO, Shogo, BABA, Shunsuke
Publikováno v:
第20回宇宙科学シンポジウム 講演集 = Proceedings of the 20th Space Science Symposium.
第20回宇宙科学シンポジウム (2020年1月8日-9日. 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS)相模原キャンパス), 相模原市, 神奈川県
20th Space Science Symposium (January 8-9, 2020. Institute of Spac
20th Space Science Symposium (January 8-9, 2020. Institute of Spac