Zobrazeno 1 - 10
of 115
pro vyhledávání: '"Kavaliauskas, J."'
Autor:
Seliuta, D., Kavaliauskas, J., Cechavicius, B., Balakauskas, S., Valusis, G., Sherliker, B., Halsall, M. P., Harrison, P., Lachab, M., Khanna, S. P., Linfield, E. H.
Selective sensing of terahertz (THz) radiation by beryllium and silicon delta-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells (MQWs) is demonstrated. A sensitivity up to 0.3 V/W within 0.5{4.2 THz in silicon- and up to 1 V/W within 4.2-7.3 THz range in beryll
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0711.0460
Autor:
Seliuta, D., Cechavicius, B., Kavaliauskas, J., Krivaite, G., Grigelionis, I., Balakauskas, S., Valusis, G., Sherliker, B., Halsall, M. P., Lachab, M., Khanna, S. P., Harrison, P., Linfield, E. H.
The authors demonstrate selective detection of terahertz radiation employing beryllium delta-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells. The sensitivity up to 1 V/W within 4.2-7.3 THz range at liquid helium temperatures is reached. The Franz-Keldysh osci
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0711.0438
Autor:
Čechavičius, B., Kavaliauskas, J., Krivaitė, G., Karpus, V., Seliuta, D., Valušis, G., Halsall, M.P., Steer, M.J., Harrison, P.
Publikováno v:
In Applied Surface Science 2006 252(15):5437-5440
Autor:
Nedzinskas, R., Čechavičius, B., Rimkus, A., Pozingytė, E., Kavaliauskas, J., Valušis, G., Li, L. H., Linfield, E. H.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 117 Issue 14, p144304-1-144304-7, 7p, 1 Diagram, 1 Chart, 8 Graphs
Autor:
Nedzinskas, R., Cˇechavicˇius, B., Karpus, V., Kavaliauskas, J., Valusˇis, G., Li, L. H., Khanna, S. P., Linfield, E. H.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Jun2011, Vol. 109 Issue 12, p123526, 6p, 5 Graphs
Autor:
Nedzinskas, R., Cˇechavicˇius, B., Kavaliauskas, J., Karpus, V., Seliuta, D., Tamosˇiūnas, V., Valusˇis, G., Fasching, G., Unterrainer, K., Strasser, G.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Sep2009, Vol. 106 Issue 6, p064308-1-064308-5, 5p, 1 Diagram, 1 Chart, 5 Graphs
Autor:
Čechavičius, B., Kavaliauskas, J., Krivaitė, G., Seliuta, D., Valusšis, G., Halsall, M. P., Steer, M. J., Harrison, P.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 7/15/2005, Vol. 98 Issue 2, p023508, 8p, 1 Chart, 8 Graphs
Autor:
Rimkus, A, Pozingyte, E, Nedzinskas, R, Cechavicius, B, Kavaliauskas, J, Valusis, G, Li, L, Linfield, EH
Optical transitions and electronic properties of epitaxial InAs quantum dots (QDs) grown with and without InGaAs strain-relieving capping layer within GaAs/AlAs quantum well (QW) are investigated. Modulated reflectance and photoluminescence spectrosc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::e18691d2cff8753c135b2f12d8f56321
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.