Zobrazeno 1 - 10
of 59
pro vyhledávání: '"Kaushal, Vikas"'
Autor:
Kaushal, Vikas.
Thesis (Ph. D.)--University of Toronto, 2008.
Source: Dissertation Abstracts International, Volume: 69-06, Section: B, page.
Source: Dissertation Abstracts International, Volume: 69-06, Section: B, page.
Autor:
Roy, Deblina, Tripathy, Sarvodaya, Kar, Sujita Kumar *, Sharma, Nivedita, Verma, Sudhir Kumar, Kaushal, Vikas
Publikováno v:
In Asian Journal of Psychiatry June 2020 51
Publikováno v:
In Solid State Electronics February 2011 56(1):120-129
Autor:
Kaushal Vikas, Schlichter Lyanne C, Moxon-Emre Iska, Sivagnanam Vishanthan, Vincent Catherine
Publikováno v:
Journal of Neuroinflammation, Vol 7, Iss 1, p 4 (2010)
Abstract Background Small-conductance Ca2+ activated K+ channels are expressed in the CNS, where KCNN2/SK2/KCa2.2 and KCNN3/SK3/KCa2.3 help shape the electrical activity of some neurons. The SK3 channel is considered a potential therapeutic target fo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b867bb12eebd4669a0f5c91f89959118
Autor:
Kaushal, Vikas, Íñiguez-de-la-Torre, Ignacio, González Sánchez, Tomás, Mateos López, Javier, Lee, Bongmook, Misra, Veena, Margala, Martin
Publikováno v:
GREDOS. Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
instname
instname
This letter presents a first successful integration of a high-k dielectric, Al2O3, with III-V semiconductors in ballistic deflection transistors (BDT). The Al2O3 is deposited by means of atomic layer deposition allowing the formation of uniform layer
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e32eff6b41b625f38089f89c8b3b06cc
https://hdl.handle.net/10366/122106
https://hdl.handle.net/10366/122106
Autor:
Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio, Purohit, Sohan, Kaushal, Vikas, Margala, Martin, Gong, Mufei, Wolpert, David, Ampadu, Paul, González Sánchez, Tomás, Mateos López, Javier
Publikováno v:
GREDOS. Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
instname
instname
We present exploratory studies of digital circuit design using the recently proposed ballistic deflection transistor (BDT) devices. We demonstrate a variety of possible logic functions through simple reconfiguration of two drain-connected BDTs. We fu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::7e0696713d34413b1bae0dd4664bfc09
http://hdl.handle.net/10366/122108
http://hdl.handle.net/10366/122108
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2015 28th International Conference on VLSI Design; 2015, p357-362, 6p
Publikováno v:
2015 28th International Conference on VLSI Design; 2015, p333-338, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.