Výsledky vyhledávání

Technological and geometrical optimisation of InP HBT driver circuit

Autor: Kauffmann, N., Blayac, S., André, P., Riet, M., Benchimol, J.L., Konczykowska, A.

Publikováno v: Kauffmann, N. ; Blayac, S. ; André, P. ; Riet, M. ; Benchimol, J.L. ; Konczykowska, A. (2000) Technological and geometrical optimisation of InP HBT driver circuit. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2000, 2-6 october 2000, Paris.

The design of high speed circuits and optimization in function of technological and geometrical parameters are presented. MUX-driver design and optimization for 40 Gb/s ETDM transmission illustrate the proposed approach. The impact of collector thick

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a4ec183066cf0f639930be581337dc68
http://amsacta.unibo.it/204/

Zobrazit plný text záznamu

44 Gb/s InP DHBT MUX-Driver IC for external laser modulation

Autor: Kauffmann, N., Andre, P., Burie, J.R., Duchenois, A. M., Riet, M., Konczykowska, A.

Publikováno v: Kauffmann, N. ; Andre, P. ; Burie, J.R. ; Duchenois, A. M. ; Riet, M. ; Konczykowska, A. (1999) 44 Gb/s InP DHBT MUX-Driver IC for external laser modulation. In: Gallium Arsenide Applications Symposium. GAAS 1999, 4-5 October 1999, Bologna, Italy.

A 2 V pp 44 Gb/s MUX-Driver IC has been fabricated in self-aligned InP DHBT technology to drive a 50 Q EAM. Optical eye diagrams have been measured up to 40 Gb/s with good extinction ratio of 9dB.

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a559d708cd138ad5296496f101a56e78
http://amsacta.unibo.it/1433/

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Conference

Millimeter-wave modeling of isolated MOS substrate network through gate-bulk measurements.

Autor: Dormieu, B., Charbuillet, C., Danneville, F., Kauffmann, N., Scheer, P.

Publikováno v: 2011 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC); 2011, p1-4, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Hot carrier impact on the small signal equivalent circuit.

Autor: Negre, L., Roy, D., Boret, S., Scheer, P., Kauffmann, N., Gloria, D., Ghibaudo, G.

Publikováno v: 2010 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report (IRW); 2010, p72-75, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Scalable approach for external collector resistance calculation.

Autor: Raya, C., Kauffmann, N., Pourchon, F., Celi, D., Zimmer, T.

Publikováno v: 2007 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures; 2007, p101-106, 6p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Improved InGaAs/InP DHBT technology for 40 Gbit/s optical communication circuits.

Autor: Godin, J., Riet, M., Blayac, S., Berdaguer, Ph., Benchimol, J.-L., Konczykowska, A., Kasbari, A., Andre, Ph., Kauffmann, N.

Publikováno v: GaAs IC Symposium. IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuits Symposium. 22nd Annual Technical Digest 2000 (Cat. No.00CH37084); 2000, p77-80, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání