Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Katherine C. Norris"'
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
This paper presents the current status of DUV photolithography manufacturing for 0.5- and sub-0.5-micrometer CMOS devices. For the manufacturing toolset and process described, the throughput and exposure performance progressed from an early developme
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b3a2a728600f8aa9a56195e357d8d326
https://doi.org/10.1117/12.175464
https://doi.org/10.1117/12.175464
Autor:
Bob Patterson, Mark William Barrick, Karey L. Holland, Timothy J. Wiltshire, Katherine C. Norris, Joseph C. Vigil, Doug Bommarito, Yumiko Takamori
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
The Micrascan II is a 0.50 NA DUV, broadband illumination (245 nm to 252 nm) step-and- scan exposure system manufactured by Silicon Valley Group Lithography Systems, Inc. (SVGL) of Wilton, Connecticut. The tool has been designed to provide 350 nm res
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::853a2508ea61ccc95b777684688f85c9
https://doi.org/10.1117/12.150455
https://doi.org/10.1117/12.150455
Autor:
Denis J Poley, Katherine C. Norris, John L. Sturtevant, Steven J. Holmes, Stephen E. Knight, Karey L. Holland, Dean Writer, Andy Horr, Mark C. Hakey, Paul A. Rabidoux, J. Guidry, Dean C. Humphrey, Diana D. Dunn, Albert S. Bergendahl, D. Macaluso
Publikováno v:
Electron-Beam, X-Ray, and Ion-Beam Submicrometer Lithographies for Manufacturing II.
Lithographers have steadily reduced exposure wavelength and increased numerical aperture (NA) to maintain process window and simplicity. The G-line systems of the 1970s gave way to the I-line systems of the late 80s, and then to the deep ultraviolet
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1b54f316d5e8e85e16811af43e039f61
https://doi.org/10.1117/12.136040
https://doi.org/10.1117/12.136040
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
This paper describes the computer simulation results of 0.5 micrometers lithography for a 16 Mb DRAM. The model demonstrates, via aerial profiles, the increased focus latitude for deep- ultraviolet (DUV) lithography as compared to i-line lithography.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2afa718d41e3330d0efd2cd5e4f2b86b
https://doi.org/10.1117/12.44792
https://doi.org/10.1117/12.44792
Autor:
Stephen E. Knight, Katherine C. Norris, Steven J. Holmes, Denis J Poley, Ruth Levy, Karey L. Holland, John G. Maltabes, Albert S. Bergendahl
Publikováno v:
Optical/Laser Microlithography III.
Each DRAM design generation has required higher reoiution imaging and overlay capability. The 500-nm lithographic ground rules of a 16-Mb chip make deep-UV (DUV) an attractive alternative to,thc more stanth,rd mid-UV (MUV) photolithography presently
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a28ca89b84633f3668c46681572ccb8a
https://doi.org/10.1117/12.20180
https://doi.org/10.1117/12.20180
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Periodical
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.