Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Katayama Tomohide"'
Autor:
Kung-Hsun Tsao, Hisashi Motobayashi, Katayama Tomohide, Crockett Huang, Yung-Cheng Chang, Chih-Jung Chen, Tsz-Yuan Chen, Simon Chiu, Nick Hsiao, Yu-Huan Liu, Vencent Chang, Go Noya
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Dual damascene technique has been widely applied to IC device fabrication in copper interconnect process. For traditional via-first dual damascene application, a fill material is first employed to fill via to protect over-etching and punch-through of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0b96a60344d5a7a74ef31ccc65dfffdf
https://doi.org/10.1117/12.855997
https://doi.org/10.1117/12.855997
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Owe-Yang, D.C., Ho, Bang-ching, Miyazaki, Shinji, Katayama, Tomohide, Susukida, Kenji, Kang, Wenbing, Chang, Yung-Cheng
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov2004, Issue 1, p452-460, 9p
Autor:
Katayama, Tomohide, Motobayashi, Hisashi, Kang, Wen-Bing, Toukhy, Medhat A., Oberlander, Joseph E., Ding, Shuji S., Neisser, Mark
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov2004, Issue 1, p968-973, 6p