Zobrazeno 1 - 10
of 136
pro vyhledávání: '"Kastl, C"'
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 101, 251110 (2012)
We report on the optoelectronic properties of thin films of Bi2Se3 grown by molecular beam epitaxy. The films are patterned into circuits with typical extensions of tens of microns. In spatially resolved experiments, we observe submicron photocurrent
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1210.4743
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hötger, A., Amit, T., Klein, J., Barthelmi, K., Pelini, T., Delhomme, A., Rey, S., Potemski, M., Faugeras, C., Cohen, G., Hernangómez-Pérez, D., Taniguchi, T., Watanabe, K., Kastl, C., Finley, J. J., Refaely-Abramson, S., Holleitner, A. W., Stier, A. V.
Publikováno v:
NPJ 2D Materials & Applications; 4/8/2023, Vol. 7 Issue 1, p1-9, 9p
Autor:
Micevic, A., Pettinger, N., Hötger, A., Sigl, L., Florian, M., Taniguchi, T., Watanabe, K., Müller, K., Finley, J. J., Kastl, C., Holleitner, A. W.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 10/31/2022, Vol. 121 Issue 18, p1-6, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kastl, C, Chen, CT, Koch, RJ, Schuler, B, Kuykendall, TR, Bostwick, A, Jozwiak, C, Seyller, T, Rotenberg, E, Weber-Bargioni, A, Aloni, S, Schwartzberg, AM
Publikováno v:
2D Materials, vol 5, iss 4
Van der Waals epitaxy enables the integration of 2D transition metal dichalcogenides with other layered materials to form heterostructures with atomically sharp interfaces. However, the ability to fully utilize and understand these materials using su
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::239c4c3681ec6fa2bb69156b78bbe512
https://escholarship.org/uc/item/0gx895x0
https://escholarship.org/uc/item/0gx895x0