Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Karmous, Imen"'
Autor:
Tabata, Toshiyuki, Rozé, Fabien, Thuries, Louis, Halty, Sébastien, Raynal, Pierre-Edouard, Karmous, Imen, Huet, Karim
The state-of-the-art CMOS technology has started to adopt three-dimensional (3D) integration approaches, enabling continuous chip density increment and performance improvement, while alleviating difficulties encountered in traditional planar scaling.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2209.05337
Autor:
Tabata, Toshiyuki, Rozé, Fabien, Alba, Pablo Acosta, Halty, Sebastien, Raynal, Pierre-Edouard, Karmous, Imen, Kerdilés, Sébastien, Mazzamuto, Fulvio
UV laser annealing (UV-LA) enables surface-localized high-temperature thermal processing to form abrupt junctions in emerging monolithically stacked devices, where the applicable thermal budget is restricted. In this work, UV-LA is performed to regro
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2204.12167
Autor:
Tabata, Toshiyuki, Rozé, Fabien, Alba, Pablo Acosta, Halty, Sébastien, Raynal, Pierre-Edouard, Karmous, Imen, Kerdilès, Sébastien, Mazzamuto, Fulvio
UV laser annealing (UV-LA) enables surface-localized high-temperature thermal processing to form abrupt junctions in emerging monolithically stacked devices, where applicable thermal budget is restricted. In this work, UV-LA is performed to regrow a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2111.07577
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Karmous, Imen, Roze, Fabien, Raynal, Pierre-Edouard, Huet, Karim, Acosta Alba, Pablo, Tabata, Toshiyuki, Kerdiles, Sebastien
Publikováno v:
ECS Transactions; May 2021, Vol. 102 Issue: 2 p125-137, 13p
Autor:
Karmous, Imen, Roze, Fabien, Raynal, Pierre-Edouard, Huet, Karim, Acosta Alba, Pablo, Toshiyuki Tabata, Kerdiles, Sebastien
Publikováno v:
ECS Meeting Abstracts; 2021, Vol. MA2021-01 Issue 1, p1011-1011, 1p