Conception de transistors MOS haute tension (1 200 volts) pour l'électronique de puissance

Autor: Loïc Théolier, Hicham Mafoz Kobt, Karine Izoird, Frédéric Morancho

Publikováno v: European Journal of Electrical Engineering
European Journal of Electrical Engineering, 2010, 13 (2), pp.227-252. ⟨10.3166/ejee.13.227-252⟩
European Journal of Electrical Engineering, Lavoisier, 2010, 13 (2), pp.227-252. ⟨10.3166/ejee.13.227-252⟩

Les composants actifs des convertisseurs de puissance empoyes pour la traction ferroviaire 1200 volts sont actuellement des IGBTs. Ceux-ci sont handicapes par leurs pertes en commutation et leur emballement thermique. L'utilisation de transistors MOS

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b4c6952b07aa05c2de6e217c6ad5600e
https://hal.science/hal-00991584/document