GaAs on Si epitaxy by aspect ratio trapping: Analysis and reduction of defects propagating along the trench direction.

Autor: Orzali, Tommaso, Vert, Alexey, O'Brien, Brendan, Herman, Joshua L., Vivekanand, Saikumar, Hill, Richard J. W., Karim, Zia, Papa Rao, Satyavolu S.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 118 Issue 10, p105307-1-105307-9, 9p, 2 Color Photographs, 6 Black and White Photographs, 1 Diagram, 2 Graphs

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

(Invited)Improvements in Thermal Budget and Film Properties Using Low Pressure Cure Technology for Advanced 3D Integration Packaging

Autor: Song, Kay, Karim, Zia, Tan, Xinxuan, Bhat, Abhishek, Sautter, Kenneth, Mingardi, A, Vangoidsenhoven, D

Publikováno v: ECS Transactions; May 2023, Vol. 111 Issue: 1

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.