Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"KarRoy, A."'
Autor:
Fulop, Gabor F., MacDougal, Michael H., Ting, David Z., Kimata, Masafumi, Howard, David, KarRoy, Arjun, Scott, Michael
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; June 2024, Vol. 13046 Issue: 1 p130461F-130461F-5, 1174155p
Autor:
R. Van Art, B.M. Haugerud, Akil K. Sutton, Wei-Min Lance Kuo, A. Karroy, Robert A. Reed, John D. Cressler, J.P. Comeau, Paul W. Marshall
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 51:3743-3747
The proton tolerance of SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) fabricated on a variety of substrate materials is investigated for the first time. The present SiGe HBT BiCMOS technology represents only the second commercially-available SiGe pr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3a528ec4e09528371f83f5920aeeffd1
https://doi.org/10.1109/tns.2004.839253
https://doi.org/10.1109/tns.2004.839253
Autor:
E. Preisler, Marco Racanelli, L. Lanzerotti, D. Howard, A. KarRoy, V. Blaschke, Robert Zwingman, T. Thibeault, C. Cureton
Publikováno v:
2010 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF).
A low parasitic inductance ground for SiGe power amplifiers has been implemented using a deep silicon via (DSV). The advantages and opportunities that this approach opens for the power amplifier (PA) design process are demonstrated. DSV resistance, i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ff284f533fae11e8928675a6e1023cf5
https://doi.org/10.1109/smic.2010.5422966
https://doi.org/10.1109/smic.2010.5422966
Publikováno v:
2015 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC); 2015, p23-26, 4p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Blaschke, V., Thibeault, T., Lanzerotti, L., Cureton, C., Zwingman, R., KarRoy, A., Preisler, E., Howard, D., Racanelli, M.
Publikováno v:
2010 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF); 2010, p208-211, 4p
Publikováno v:
2015 IEEE MTT-S International Microwave Symposium; 2015, p1-3, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
1998 5th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology Proceedings (Cat No98EX105); 1998, p131-134, 4p
Autor:
Comeau, Jonathan P., Sutton, Akil K., Haugerud, Becca M., Cressler, John D., Wei-Min Lance Kuo, Marshall, Paul W., Reed, Robert A., Karroy, Arjun, Van Art, Roger
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science; Dec2004 Part 2 of 3, Vol. 51 Issue 6, p3743-3747, 5p