Zobrazeno 1 - 10 of 90 pro vyhledávání: '"Kapolnek, D."'
1
Akademický článek
Defect structure of metal-organic chemical vapor deposition-grown epitaxial (0001) GaN/Al2O3.
Autor: Wu, X. H., Brown, L. M., Kapolnek, D., Keller, S., Keller, B., DenBaars, S. P., Speck, J. S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/15/1996, Vol. 80 Issue 6, p3228, 10p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Conference
GaN FEA diode with integrated anode.
Autor: Underwood, R.D., Kapolnek, D., Keller, S., Keller, B.P., DenBaars, S.P., Mishra, U.K.
Publikováno v: 10th International Conference on Vacuum Microelectronics; 1997, p132-136, 5p
Zobrazit plný text záznamu
4
Conference
AlGaN/GaN MODFETs with low ohmic contact resistances by source/drain n/sup +/ re-growth.
Autor: Wu, Y.-F., Kapolnek, D., Kozodoy, P., Thibeault, B., Keller, S., Keller, B.P., Denbaars, S.P., Mishra, U.K.
Publikováno v: Compound Semiconductors 1997 Proceedings of the IEEE Twenty-Fourth International Symposium on Compound Semiconductors; 1998, p431-434, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
Growth and characterization of InGaN/GaN double heterostructure LEDs grown by MOCVD.
Autor: Keller, S., Keller, B.P., Wu, Y.-F., Kapolnek, D., Masui, H., Kato, M., Imagi, S., Mishra, U.K., DenBaars, S.P.
Publikováno v: Proceedings IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices & Circuits; 1995, p56-63, 8p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Electron channeling patterns of a-axis and c-axis YBa2Cu3O7−δ thin films.
Autor: Young, K.H., Sun, J.Z., Kapolnek, D., Tarsa, E.J., Inam, A., Chai, B.H.T.
Publikováno v: Journal of Materials Research; 12/01/1991, Vol. 6 Issue 12, p2501-2506, 6p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
GaN field emitter array diode with integrated anode.
Autor: Underwood, Robert D., Keller, S., Mishra, U. K., Kapolnek, D., Keller, B. P., DenBaars, S. P.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1998, Vol. 16 Issue 2, p822-825, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Conference
High Al-content AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrates with very high power performance.
Autor: Wu, Y.-F., Kapolnek, D., Ibbetson, J., Zhang, N.-Q., Parikh, P., Keller, B.P., Mishra, U.K.
Publikováno v: International Electron Devices Meeting 1999 Technical Digest (Cat No99CH36318); 1999, p925-927, 3p
Zobrazit plný text záznamu
9
Periodical
Selective area epitaxy of GaN for electron field emission devices
Autor: Kapolnek, D., Underwood, R.D., Keller, B.P., Keller, S., Denbaars, S.P., Mishra, U.K.
Publikováno v: Journal of Crystal Growth; January 1997, Vol. 170 Issue: 1-4 p340-343, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Periodical
High power AlGaN/GaN HEMTs for microwave applications
Autor: Wu, Y.-F., Keller, B.P., Keller, S., Kapolnek, D., Kozodoy, P., Denbaars, S.P., Mishra, U.K.
Publikováno v: Solid State Electronics; October 1997, Vol. 41 Issue: 10 p1569-1574, 6p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje