ФІЗИЧНІ ТА МОДЕЛЬНІ УЯВЛЕННЯ ПРО ГАЛЬВАНОМАГНІТНІ ЕФЕКТИ В БІПОЛЯРНИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ

Autor: Glauberman, M. A., Yegorov, V. V., Kanischeva, N.. A, Kozel, V. V.

Publikováno v: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 3, № 1 (2006); 8-17
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 3, № 1 (2006); 8-17
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 3, № 1 (2006); 8-17

The basic physical operation mechanisms of bipolar semiconductor magnetosensitive structures (BMSs) are analysed. The vertical structures have been shown to be subject to exclusion from the BMS class, and horizontal BMSs form a single class irrespect

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::cf747bf7c8f7e6b1af88ace1053ffebd
http://semst.onu.edu.ua/article/view/116841