Zobrazeno 1 - 10
of 72
pro vyhledávání: '"Kanisawa, Kiyoshi"'
Autor:
Nakazawa, Yusuke, Akiho, Takafumi, Kanisawa, Kiyoshi, Irie, Hiroshi, Kumada, Norio, Muraki, Koji
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 125, 083101 (2024)
We report the growth, structural characterization, and transport properties of the quantum anomalous Hall insulator Vy(BixSb1-x)2-yTe3 (VBST) grown on a GaAs buffer layer by molecular beam epitaxy on a GaAs(111)A substrate. X-ray diffraction and tran
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.12268
Autor:
Pham, Van Dong, Pan, Yi, Erwin, Steven C., von Oppen, Felix, Kanisawa, Kiyoshi, Fölsch, Stefan
Atom manipulation by scanning tunneling microscopy was used to construct quantum dots on the InAs(111)A surface. Each dot comprised six ionized indium adatoms. The positively charged adatoms create a confining potential acting on surface-state electr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2406.13347
Autor:
Pham, Van Dong, Pan, Yi, Erwin, Steven C., von Oppen, Felix, Kanisawa, Kiyoshi, Fölsch, Stefan
Topological electronic phases exist in a variety of naturally occurring materials but can also be created artificially. We used a cryogenic scanning tunneling microscope to create dimerized chains of identical quantum dots on a semiconductor surface
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2112.00801
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Martínez-Blanco, Jesús, Nacci, Christophe, Erwin, Steven C., Kanisawa, Kiyoshi, Locane, Elina, Thomas, Mark, von Oppen, Felix, Brouwer, Piet W., Fölsch, Stefan
Publikováno v:
Nature Physics 11, 640-644 (2015)
Transistors, regardless of their size, rely on electrical gates to control the conductance between source and drain contacts. In atomic-scale transistors, this conductance is exquisitely sensitive to single electrons hopping via individual orbitals.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1603.00908
Autor:
Nakazawa, Yusuke, Akiho, Takafumi, Kanisawa, Kiyoshi, Irie, Hiroshi, Kumada, Norio, Muraki, Koji
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 8/19/2024, Vol. 125 Issue 8, p1-5, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 2008 40(5):1418-1420
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2007 301:837-840