Zobrazeno 1 - 10
of 144
pro vyhledávání: '"Kanisawa, K."'
Publikováno v:
Phys. Rev. B 92, 115444 (2015)
By means of scanning tunneling spectroscopy (STS) we study the electronic structure of the III-V semiconductor surface InAs(111)A in the field emission regime (above the vacuum level). At high sample bias voltages (approaching +10 V), a series of wel
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1506.06510
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Physics Procedia 31 January 2010 3(2):1299-1304
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Applied Surface Science 2008 254(23):7889-7892
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2007 301:97-100
Autor:
Taguchi, A., Kanisawa, K.
Publikováno v:
In Applied Surface Science 2006 252(15):5263-5266
Publikováno v:
In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 2004 23(3):285-292
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 4/15/2007, Vol. 101 Issue 8, p081705, 4p, 5 Diagrams, 2 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.