Zobrazeno 1 - 10
of 44
pro vyhledávání: '"Kampen, T. U."'
Publikováno v:
J H Dil et al 2010 J. Phys.: Condens. Matter 22 135008
The substrate lattice structure may have a considerable influence on the formation of quantum well states in a metal overlayer material. Here we study three model systems using angle resolved photoemission and low energy electron diffraction: indium
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0811.0460
Autor:
Kampen, T. U.1 kampen@fhi-berlin.mpg.de
Publikováno v:
Applied Physics A: Materials Science & Processing. Mar2006, Vol. 82 Issue 3, p457-470. 14p. 7 Diagrams, 7 Graphs.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 1/15/2006, Vol. 99 Issue 2, p024501, 5p, 5 Graphs
Autor:
Sakurai, Y., Hosoi, Y., Ishii, H., Ouchi, Y., Salvan, G., Kobitski, A., Kampen, T. U., Zahn, D. R. T., Seki, K.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 11/15/2004, Vol. 96 Issue 10, p5534-5542, 9p, 4 Diagrams, 3 Charts, 6 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 1/1/1996, Vol. 79 Issue 1, p316, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.