Zobrazeno 1 - 10
of 59
pro vyhledávání: '"Kamimura, Takafumi"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wang, Zhenwei, Kumar, Sandeep, Kamimura, Takafumi, Murakami, Hisashi, Kumagai, Yoshinao, Higashiwaki, Masataka
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics; October 2024, Vol. 63 Issue: 10 p100902-100902, 1p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Applied Surface Science 2006 252(15):5579-5582
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Higashiwaki, Masataka, Hoi Wong, Man, Kamimura, Takafumi, Nakata, Yoshiaki, Chia-Hung, Lin, Takeyama, Akinori, Makino, Takahiro, Ohshima, Takeshi, Singh, Manikant, Pomeroy, James, Uren, Michael, Casbon, Michael, Tasker, Paul, Goto, Ken, Sasaki, Kohei, Kuramata, Akito, Yamakoshi, Shigenobu, Kuball, Martin, Murakami, Hisashi, Kumagai, Yoshinao
Ga2O3 has emerged as a noteworthy ultrawide bandgap semiconductor in the past five years. Owing to excellent material properties based on an extremely large bandgap of over 4.5 eV and the commercial availability of native wafers produced from melt-gr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::e30fc5776b0f5c1e1d1ab8fc1f22c268
https://repo.qst.go.jp/records/75595
https://repo.qst.go.jp/records/75595
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics; Mar2021, Vol. 60 Issue 3, p1-5, 5p
Autor:
Higashiwaki, Masataka, Hoi, Wong Man, Konishi, Keita, Nakata, Yoshiaki, Kamimura, Takafumi, Sasaki, Kohei, Goto, Ken, Murakami, Hisashi, Kumagai, Yoshinao, Kuramata, Akito
Recently, gallium oxide (Ga2O3) has attracted much attention as a candidate for future power and harsh environment electronics due to its extremely large bandgap of 4.5 eV and the availability of economical melt-grown native substrates. In this talk,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::fc52e2e6cec2212a85f63a4a9a302139
https://repo.qst.go.jp/records/73316
https://repo.qst.go.jp/records/73316