Zobrazeno 1 - 6 of 6 pro vyhledávání: '"Kambour, K. E."'
1
Conference
Comparison of duty-cycle effects at room temperature in SiON and HfO2 gate PMOS FETS.
Autor: Nguyen, D. D., Kouhestani, C., Kambour, K. E., Bersuker, G., Devine, R. A. B.
Publikováno v: 2014 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report (IIRW); 2014, p143-146, 4p
Zobrazit plný text záznamu
2
Conference
Comparison of NTBI and irradiation induced interface states.
Autor: Kambour, K. E., Nguyen, D. D., Kouhestani, C., Devine, R. A. B.
Publikováno v: 2013 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report; 2013, p157-160, 4p
Zobrazit plný text záznamu
3
Conference
On the nature of “permanent” degradation in NBTI.
Autor: Nguyen, D. D., Kouhestani, C., Kambour, K. E., Devine, R. A. B.
Publikováno v: 2013 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report; 2013, p150-153, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Conference
Measurement and modeling of duty-cycle effects due to NBTI.
Autor: Kambour, K. E., Nguyen, D. D., Kouhestani, C., Devine, R. A. B.
Publikováno v: 2012 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report; 1/ 1/2012, p136-139, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Extraction of recoverable and permanent trapped charge resulting from negative bias temperature instability.
Autor: Nguyen, D. D., Kouhestani, C., Kambour, K. E., Hjalmarson, H. P., Devine, R. A. B.
Publikováno v: Physica Status Solidi (C); Feb2013, Vol. 10 Issue 2, p259-262, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje