Zobrazeno 1 - 10
of 362
pro vyhledávání: '"Kamat, R"'
Autor:
Dongale, T. D., Khot, K. V., Mohite, S. V., Khandagale, S. S., Shinde, S. S., Moholkar, A. V., Rajpure, K. Y., Bhosale, P. N., Patil, P. S., Gaikwad, P. K., Kamat, R. K.
In this paper, we report the effect of filament radius and filament resistivity on the saturated temperature of ZnO, TiO2, WO3 and HfO2 Resistive Random Access Memory (RRAM) devices. We resort to the thermal reaction model of RRAM for the present ana
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1602.08262
The present paper investigates state space analysis of memristor based series and parallel RLCM circuits. The stability analysis is carried out with the help of eigenvalues formulation method, pole-zero plot and transient response of system. The stat
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1602.04806
In this paper, we investigate few memristor-based analog circuits namely the phase shift oscillator, integrator, and differentiator which have been explored numerously using the traditional lumped components. We use LTspice-IV platform for simulation
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1602.03494
Autor:
Chougule, P. P., Sen, B., Mukherjee, R., Karade, V. C., Patil, P. S., Dongale, T. D., Kamat, R. K.
Processing in Memory (PIM) is a computing paradigm that promises enormous gain in processing speed by eradicating latencies in the typical von Neumann architecture. It has gained popularity owing to its throughput by embedding storage and computation
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1602.02249
Autor:
Dongale, T. D., Khot, K. V., Mohite, S. V., Desai, N. K., Shinde, S. S., Moholkar, A. V., Rajpure, K. Y., Bhosale, P. N., Patil, P. S., Gaikwad, P. K., Kamat, R. K.
In this paper, we report the effect of write voltage and frequency on memristor based Resistive Random Access Memory (RRAM). The above said parameters have been investigated on the linear drift model of memristor. With a variation of write voltage fr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1602.01947
Autor:
Dongale, T. D., Patil, P. J., Desai, N. K., Chougule, P. P., Kumbhar, S. M., Waifalkar, P. P., Patil, P. B., Vhatkar, R. S., Takale, M. V., Gaikwad, P. K., Kamat, R. K.
We report simulation of nanostructured memristor device using piecewise linear and nonlinear window functions for RRAM and neuromorphic applications. The linear drift model of memristor has been exploited for the simulation purpose with the linear an
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1601.06503
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.