Zobrazeno 1 - 10
of 413
pro vyhledávání: '"Kalna K"'
Publikováno v:
Semicond. Sci. Technol. 37 075009 (2022)
Spin-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFET) with a high-mobility III-V channel are studied using self-consistent quantum corrected ensemble Monte Carlo device simulations of charge and spin transport. The simulations includ
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2110.05366
Publikováno v:
J Applied Physics, 122, 223903, 2017
Spin-based logic devices could operate at very high speed with very low energy consumption and hold significant promise for quantum information processing and metrology. Here, an in-house developed, experimentally verified, ensemble self-consistent M
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1610.04114
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability December 2020 115
Publikováno v:
In Solid State Electronics October 2020 172
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics April 2018 142:31-35
Electron capture times in a separate confinement quantum well (QW) structure with finite electron density are calculated for electron-electron (e-e) and electron-polar optic phonon (e-pop) scattering. We find that the capture time oscillates as funct
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9511059
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Materials Today: Proceedings 2015 2(1):309-314
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.