Zobrazeno 1 - 10
of 153
pro vyhledávání: '"Kalinushkin, V. P."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yuryev, V. A., Chizh, K. V., Chapnin, V. A., Mironov, S. A., Dubkov, V. P., Uvarov, O. V., Kalinushkin, V. P., Senkov, V. M., Nalivaiko, O. Y., Novikau, A. G., Gaiduk, P. I.
Publikováno v:
J. Appl. Phys. 117, 204502 (2015)
Platinum silicide Schottky diodes formed on films of polycrystalline Si doped by phosphorus are demonstrated to be efficient and manufacturable CMOS-compatible temperature sensors for microbolometer detectors of radiation. Thin-film platinum silicide
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1503.05700
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Il'ichev, N. N., Kalinushkin, V. P., Gulyamova, E. S., Mironov, S. A., Studenikin, M. I., Tumorin, V. V., Pashinin, P. P.
Publikováno v:
Bulletin of the Lebedev Physics Institute; 2023 Suppl9, Vol. 50, pS1006-S1014, 9p
Publikováno v:
11th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, At Hokkaido, Japan, Tokyo Univ. of Agriculture and Technology, Tokyo, Japan, 1999, p. 283-284
The scanning mid-IR-laser microscopy was previously demonstrated as an effective tool for characterization of different semiconductor crystals. Now the technique has been successfully applied for the investigation of CZ Si$_x$Ge$_{1-x}$---a promising
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1310.6634
Autor:
Touryanski, A. G., Senkov, V. M., Gizha, S. S., Arapkina, L. V., Chapnin, V. A., Chizh, K. V., Kalinushkin, V. P., Storozhevykh, M. S., Uvarov, O. V., Yuryev, V. A.
Publikováno v:
Proc. 21th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Saint Petersburg, Russia, June 24-28, 2013; Academic University Publishing, St. Petersburg, Russia, 2013, pp. 166-167
Application of the two-wavelength X-ray reflectometry to exploration of Ge/Si(001) hereostructures with dense chains of stacked Ge quantum dots is presented
Comment: 21st Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology"; Saint Petersburg, Rus
Comment: 21st Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology"; Saint Petersburg, Rus
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1304.0955
Autor:
Chizh, K. V., Chapnin, V. A., Kalinushkin, V. P., Resnik, V. Ya., Storozhevykh, M. S., Yuryev, V. A.
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters 2013, 8:177 (URL: http://www.nanoscalereslett.com/content/8/1/177)
Nickel silicide Schottky diodes formed on polycrystalline Si films are proposed as temperature sensors of monolithic uncooled microbolometer IR focal plane arrays. Structure and composition of nickel silicide/polycrystalline silicon films synthesized
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1301.7010
Autor:
Yuryev, V. A., Arapkina, L. V., Storozhevykh, M. S., Chapnin, V. A., Chizh, K. V., Uvarov, O. V., Kalinushkin, V. P., Zhukova, E. S., Prokhorov, A. S., Spektor, I. E., Gorshunov, B. P.
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters 2012, 7:414
Issues of Ge hut array formation and growth at low temperatures on the Ge/Si(001) wetting layer are discussed on the basis of explorations performed by high resolution STM and in-situ RHEED. Data of HRTEM studies of multilayer Ge/Si heterostructures
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1204.2509
Autor:
Yuryev, V. A., Arapkina, L. V., Storozhevykh, M. S., Chapnin, V. A., Chizh, K. V., Uvarov, O. V., Kalinushkin, V. P., Zhukova, E. S., Prokhorov, A. S., Spektor, I. E., Gorshunov, B. P.
Publikováno v:
Proc. 20th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Nizhni Novgorod, Russia, June 24-30, 2012; Academic University Publishing, St. Petersburg, Russia, 2012, pp. 209-210
Issues of Ge hut cluster nucleation and growth at low temperatures on the Ge/Si(001) wetting layer are discussed on the basis of explorations performed by high resolution STM and in-situ RHEED. Data of HRTEM investigations of Ge/Si heterostructures a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1203.5631