Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Kalinnikov, M. A."'
Autor:
Kudryavtsev, K. E., Andreev, B. A., Lobanov, D. N., Kalinnikov, M. A., Yablonskiy, A. N., Yunin, P. A., Novikov, A. V., Krasilnik, Z. F.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 12/7/2023, Vol. 134 Issue 21, p1-8, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kalinnikov, M. A., Lobanov, D. N., Kudryavtsev, K. E., Andreev, B. A., Yunin, P. A., Krasilnikova, L. V., Novikov, A. V., Skorokhodov, E. V., Skorokhodov, Z. F.
Publikováno v:
Semiconductors; Mar2024, Vol. 58 Issue 3, p231-237, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Krasil’nik Z. F., null Skorohodov E. V., null Kalinnikov M. A., null Yunin P. A., null Novikov A. V., null Kudryavtsev K. E., null Krasil'nikova L. V., null Lobanov D. N., null Andreev B. A.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:496
This paper presents the results of studying the growth of InGaN layers with a high (50-80%) indium content by molecular beam epitaxy with nitrogen plasma activation on sapphire substrates with GaN/AlN buffer layers. It is shown that the processes of
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.