Výsledky vyhledávání - "Kalblein, D."

Conference

Integrated circuits using top-gate ZnO nanowire transistors with ultrathin organic gate dielectric.

Autor: Kalblein, D., Bottcher, H.J., Weitz, R.T., Zschieschang, U., Kern, K., Klauk, H.

Publikováno v: 2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM); 2009, p1-4, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Aluminum top-gate ZnO nanowire transistors with improved transconductance.

Autor: Kalblein, D., Fenk, B., Hahn, K., Zschieschang, U., Kern, K., Klauk, H.

Publikováno v: 2011 69th Annual Device Research Conference (DRC); 2011, p249-250, 2p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Combinational and sequential logic with transistors based on individual carbon nanotubes.

Autor: Ryu, H., Kalblein, D., Zschieschang, U., Schmidt, O.G., Klauk, H.

Publikováno v: 2011 69th Annual Device Research Conference (DRC); 2011, p177-178, 2p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Top-gate ZnO nanowire transistors with ultrathin organic gate dielectric.

Autor: Kalblein, D., Bottcher, H.J., Weitz, R.T., Zschieschang, U., Kern, K., Klauk, H.

Publikováno v: 2009 Device Research Conference; 2009, p17-18, 2p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Low-voltage metal-gate top-contact organic thin-film transistors and complementary inverters with submicron channel length.

Autor: Ante, F., Zschieschang, U., Weitz, R.T., Kalblein, D., Kern, K., Klauk, H.

Publikováno v: 2009 Device Research Conference; 2009, p179-180, 2p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Integrated circuits based on individual carbon nanotube transistors on glass substrates.

Autor: Ryu, H., Ante, F., Kalblein, D., Zschieschang, U., Schmidt, O.G., Klauk, H.

Publikováno v: 2009 Device Research Conference; 2009, p85-86, 2p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.