Zobrazeno 1 - 10 of 84 pro vyhledávání: '"Kajiyama, Kenji"'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Amorphous-Si/crystalline-Si facet formation during Si solid-phase epitaxy near Si/SiO2 boundary.
Autor: Kunii, Yasuo, Tabe, Michiharu, Kajiyama, Kenji
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jul1984, Vol. 56 Issue 2, p279-285, 7p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Infrared radiation annealing for extended-defect reduction in As-implanted Si crystals.
Autor: Komatsu, Ryosaku, Kajiyama, Kenji
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jul1984, Vol. 56 Issue 2, p486-490, 5p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Concentration dependence of the gain spectrum in methanol solutions of rhodamine 6G.
Autor: Urisu, Tsuneo, Kajiyama, Kenji
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Aug1976, Vol. 47 Issue 8, p3559-3562, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
MeV-energy As+ implantation into Si: Extended-defect reduction and planar n-p-n transistor fabrication.
Autor: Takahashi, Mitsutoshi, Konaka, Shinsuke, Kajiyama, Kenji
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Oct1983, Vol. 54 Issue 10, p6041-6043, 3p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Solid-phase lateral epitaxy of chemical-vapor-deposited amorphous silicon by furnace annealing.
Autor: Kunii, Yasuo, Tabe, Michiharu, Kajiyama, Kenji
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1983, Vol. 54 Issue 5, p2847-2849, 3p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Concentration dependence of the gain spectrum in energy-transfer dye mixtures.
Autor: Urisu, Tsuneo, Kajiyama, Kenji
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Aug1976, Vol. 47 Issue 8, p3563-3565, 3p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
High-speed silicon avalanche photodiodes with built-in field.
Autor: Kanbe, Hiroshi, Mizushima, Yoshihiko, Kimura, Tatsuya, Kajiyama, Kenji
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Aug1976, Vol. 47 Issue 8, p3749-3751, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje