Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Kagoyama, Y."'
Autor:
Kagoyama, Y., Okamoto, M., Yamasaki, T., Tajima, N., Nara, J., Ohno, T., Yano, H., Harada, S., Umeda, T.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2019, Vol. 125 Issue 6, pN.PAG-N.PAG, 8p, 3 Diagrams, 6 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
UMEDA, Takahide, Kagoyama, Y., Tomita, K., Abe, Y., Sometani, M., Okamoto, M., Harada, S., Hatakeyama, T.
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 115(15):151602
We present electrically detected-magnetic-resonance (EDMR) identification of major and minor interface defects at wet-oxidized 4H-SiC(0001⎯⎯)/SiO2 interfaces for C-face 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. The major interfac
Autor:
YANO, Hiroshi, UMEDA, Takahide, Kagoyama, Y., Okamoto, M., Yamasaki, T., Tajima, N., Nara, J., Ohno, T., Harada, S.
Publikováno v:
Journal of applied physics. 125(6):065302
We investigated a metal-oxide-semiconductor interface of dry-oxidized (0001¯) 4H-SiC, which was known as the most electrically deteriorated SiC MOSFET, by electrically detected magnetic resonance (EDMR) and observed a signal with an isotropic g fact
Autor:
Umeda, T., Kagoyama, Y., Tomita, K., Abe, Y., Sometani, M., Okamoto, M., Harada, S., Hatakeyama, T.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 10/7/2019, Vol. 115 Issue 15, pN.PAG-N.PAG, 5p, 1 Diagram, 1 Chart, 2 Graphs
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.