Zobrazeno 1 - 10 of 42 pro vyhledávání: '"Kadushkin, V. I."'
1
Report
Giant transverse magnetoresistance in an asymmetric system of three GaAs/AlGaAs quantum wells in a strong magnetic field at room temperature
Autor: Tsebro, V. I., Omel'yanovskii, O. E., Kapaev, V. V., Kopaev, Yu. V., Kadushkin, V. I.
Publikováno v: Phys. Low-Dim. Struct., 1/2, 25-32 (1997)
The giant transverse magnetoresistance is observed in the case of photoinduced nonequilibrium carriers in an asymmetric undoped system of three GaAs/AlGaAs quantum wells at room temperature. In a magnetic field of 75 kOe, the resistance of nanostruct
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/cond-mat/9812426
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Special features of the Fourier spectra of magnetoresistance oscillations in a heavily doped heterostructure.
Autor: Kadushkin, V. I.1 kadush@rspu.ryazan.ru
Publikováno v: Semiconductors. Mar2007, Vol. 41 Issue 3, p307-313. 7p. 2 Charts, 2 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Resonance modulation of the intersubband electron-electron interaction in an AlSb(δ-Te)/InAs/AsSb(δ-Te) quantum well by magnetic field.
Autor: Kadushkin, V. I.1 kadush@rspu.ryazan.ru, Sadof'ev, Yu. G.2, Bird, J. P.2, Johnson, S. R.2, Zhang, Y.-H.2
Publikováno v: Semiconductors. Mar2007, Vol. 41 Issue 3, p327-334. 8p. 3 Charts, 6 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Specific features of 2D electron distribution over the subbands of the quantum well of a single heavily doped heterojunction.
Autor: Kadushkin, V. I.1 kadush@rspu.ryazan.ru
Publikováno v: Semiconductors. Dec2006, Vol. 40 Issue 12, p1409-1414. 6p. 1 Diagram, 2 Charts, 2 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Resonance Modulation of Electron–Electron Relaxation by a Quantizing Magnetic Field.
Autor: Kadushkin, V. I.1 kadush@rspu.ryazan.ru
Publikováno v: Semiconductors. Jul2005, Vol. 39 Issue 7, p826-829. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Special Features of the Electron–Electron Interaction in the Potential of a Heavily Doped AlxGa1 – xAs:Si/GaAs Heterojunction.
Autor: Kadushkin, V. I.1 kadush@rspu.ryazan.ru
Publikováno v: Semiconductors. Feb2005, Vol. 39 Issue 2, p226-230. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
2D-Electron Heating in Electric and Magnetic Crossed Fields.
Autor: Kadushkin, V. I.1 kadush@rspu.ryazan.ru
Publikováno v: Russian Physics Journal. Jun2004, Vol. 47 Issue 6, p594-599. 6p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Electron–Phonon Damping Factor for the Landau Quantization of 2D Electrons with a Fine Structure of the Energy Spectrum.
Autor: Kadushkin, V. I.1 kadush@ttc.ryazan.ru
Publikováno v: Semiconductors. Apr2004, Vol. 38 Issue 4, p397-401. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
The Role of the Hall Field in the Transverse Magnetotransport.
Autor: Kadushkin, V. I.1
Publikováno v: Russian Physics Journal. Jan2004, Vol. 47 Issue 1, p60-63. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Quantum corrections to the conductivity and quantum Hall effect in GaAs-GaAlAs multiple quantum well structures.
Autor: Kulbachinskii, V. A., Kytin, V. G., Kadushkin, V. I., Shangina, E. L., de Visser, A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1994, Vol. 75 Issue 4, p2081, 5p, 1 Diagram, 1 Chart, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje