Zobrazeno 1 - 10
of 1 155
pro vyhledávání: '"Kaczer B"'
Autor:
Alam, Md Nur K., Clima, S., Kaczer, B., Roussel, Ph., Truijen, B., Ragnarsson, L. - A., Horiguchi, N., Heyns, M., Van Houdt, J.
Existence of quasi-static negative capacitance (QSNC) was proposed from an interpretation of the widely accepted Landau model of ferroelectrics. However, many works showed not to support the QSNC theory, making it controversial. In this letter we sho
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.13138
Publikováno v:
In Solid State Electronics June 2024 216
Autor:
Asanovski, R., Grill, A., Franco, J., Palestri, P., Mertens, H., Ritzenthaler, R., Horiguchi, N., Kaczer, B., Selmi, L.
Publikováno v:
In Solid State Electronics May 2024 215
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tyaginov, S., Makarov, A., Chasin, A., Bury, E., Vandemaele, M., Jech, M., Grill, A., De Keersgieter, A., Linten, D., Kaczer, B.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability July 2021 122
Autor:
Panarella, L., Smets, Q., Verreck, D., Kaczer, B., Tyaginov, S., de la Rosa, C. Lockhart, Kar, G. S., Afanas’ev, V.
Publikováno v:
Journal of Computational Electronics; Feb2025, Vol. 24 Issue 1, p1-6, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rzepa, G., Franco, J., O’Sullivan, B., Subirats, A., Simicic, M., Hellings, G., Weckx, P., Jech, M., Knobloch, T., Waltl, M., Roussel, P.J., Linten, D., Kaczer, B., Grasser, T.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability June 2018 85:49-65
Autor:
Kaczer, B., Franco, J., Weckx, P., Roussel, Ph.J., Putcha, V., Bury, E., Simicic, M., Chasin, A., Linten, D., Parvais, B., Catthoor, F., Rzepa, G., Waltl, M., Grasser, T.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability February 2018 81:186-194