Zobrazeno 1 - 10
of 49
pro vyhledávání: '"Kabouche, Riad"'
Autor:
Gao, Zhan, Meneghini, Matteo, Harrouche, Kathia, Kabouche, Riad, Chiocchetta, Francesca, Marcon, Daniele, Okada, Etienne, Rampazzo, Fabiana, De Santi, Carlo, Medjdoub, Farid, Meneghesso, Gaudenzio, Zanoni, Enrico
Publikováno v:
Microelectronics Reliability, Volume 123, 2021, 114199
Short-term reliability and robustness of 110 nm AlN/GaN HEMTs has been evaluated by means of off-state, semi-on state and on-state step stress tests on devices having different gate-drain distance, LGD. While breakdown voltages and critical voltages
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.08410
Autor:
Kabouche, Riad
La technologie Nitrure de Gallium s’impose actuellement comme le candidat idéal pour les applications de forte Puissance en gamme d’ondes millimétriques. Les caractéristiques de ce matériau le prédisposent à un fonctionnement à haute tensi
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2017LIL10200/document
Autor:
Meneghini, Matteo, Chowdhury, Srabanti, Derluyn, Joff, Medjdoub, Farid, Ji, Dong, Chun, Jaeyi, Kabouche, Riad, de Santi, Carlo, Zanoni, Enrico, Meneghesso, Gaudenzio
Publikováno v:
Springer Handbook of Semiconductor Devices
Massimo Rudan; Rossella Brunetti; Susanna Reggiani. Springer Handbook of Semiconductor Devices, Springer International Publishing, pp.525-578, 2023, Springer Handbooks, ⟨10.1007/978-3-030-79827-7_15⟩
Massimo Rudan; Rossella Brunetti; Susanna Reggiani. Springer Handbook of Semiconductor Devices, Springer International Publishing, pp.525-578, 2023, Springer Handbooks, ⟨10.1007/978-3-030-79827-7_15⟩
chapter 15; International audience; In the last decade, GaN has emerged as an excellent material for application in power electronics. The wide energy gap of gallium nitride (3.4 eV) enables high-temperature operation, while the large breakdown field
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4254::f35bd107f08f1a8f02ba50be2bdadd1f
https://hal.science/hal-03875409
https://hal.science/hal-03875409
Publikováno v:
WOCSDICE2021
WOCSDICE2021, Jun 2021, Bristol, United Kingdom
WOCSDICE2021, Jun 2021, Bristol, United Kingdom
International audience; In this paper, we report on a vertically scaled AlN/GaN HEMT technology. The comparison between a 3 nm and 4 nm barrier thickness shows both superior performances and robustness for the thinner barrier layer, which is attribut
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::746f8cc4cf4a3c61a929a07492a840ae
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03279173
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03279173
Publikováno v:
RF & Microwave 2020, 9ème Salon Radiofréquences, Hyperfréquences, Wireless, CEM et Fibre Optique
RF & Microwave 2020, 9ème Salon Radiofréquences, Hyperfréquences, Wireless, CEM et Fibre Optique, Sep 2020, Paris, France
RF & Microwave 2020, 9ème Salon Radiofréquences, Hyperfréquences, Wireless, CEM et Fibre Optique, Sep 2020, Paris, France
National audience
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::5276b675a39bdc3ea3cea7f396465b60
https://hal.science/hal-03342668
https://hal.science/hal-03342668
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.