Zobrazeno 1 - 10 of 71 pro vyhledávání: '"KONSTANTINOV, O. V."'
1
Akademický článek
Vibrations of a Free-Surface Fluid in an Ellipsoidal Tank in the Vicinity Of Resonance.
Autor: Klimenkov, O. L., Konstantinov, O. V., Limarchenko, O. S.
Publikováno v: International Applied Mechanics; May2023, Vol. 59 Issue 3, p324-335, 12p
Zobrazit plný text záznamu
2
Conference
MODIFIED SOL-GEL TECHNIQUE AS A COST-EFFECTIVE METHOD OF ULTRADISPERSED METAL OXIDE POWDERS PRODUCTION.
Autor: VOKHMINTCEV, K. V.1 olegbyzantian@gmail.com, KONSTANTINOV, O. V.1, BELOUSOV, V. V.1
Publikováno v: Physics, Chemistry & Applications of Nanostructures - Proceedings of the International Conference Nanomeeting ¨C 201. 2013, p275-278. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Spatial symmetry of excited states in III–V semiconductors at the Γ point.
Autor: Dymnikov, V. D.1 Dymnik@mail.ioffe.ru, Konstantinov, O. V.1
Publikováno v: Semiconductors. Aug2008, Vol. 42 Issue 8, p918-921. 4p. 1 Diagram, 1 Chart.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Structure of Energy Quantum Levels in a Quantum Dot Shaped as an Oblate Body of Revolution.
Autor: Zegrya, G. G., Konstantinov, O. V., Matveentsev, A. V.
Publikováno v: Semiconductors. Mar2003, Vol. 37 Issue 3, p317. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Light Emission by Semiconductor Structure with Quantum Well and Array of Quantum Dots.
Autor: Evtikhiev, V. P., Konstantinov, O. V., Matveentsev, A. V., Romanov, A. E.
Publikováno v: Semiconductors. Jan2002, Vol. 36 Issue 1, p74. 7p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Electron-hole Coulomb interaction in InGaN quantum dots.
Autor: Bugrov, V. E., Konstantinov, O. V.
Publikováno v: Semiconductors. Oct98, Vol. 32 Issue 10, p1101. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Exchange energy of a free electron in a semiconductor.
Autor: Konstantinov, O. V., Obolenskiı, O. I., Tsarenkov, B. V.
Publikováno v: Semiconductors. May97, Vol. 31 Issue 5, p484. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Theory of catalytic dissociation of hydrogen atoms on a metal surface.
Autor: Konstantinov, O. V.1 O.Konst@mail.ioffe.ru, Dymnikov, V. D.1, Mittsev, M. A.1
Publikováno v: Semiconductors. Aug2008, Vol. 42 Issue 8, p931-933. 3p. 4 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Mechanism of misfit stress relaxation during epitaxial growth of GaN on porous SiC substrates.
Autor: Mynbaeva, M. G.1 mgm@mail.ioffe.ru, Konstantinov, O. V.1, Mynbaev, K. D.1, Romanov, A. E.1, Sitnikova, A. A.1
Publikováno v: Technical Physics Letters. Dec2006, Vol. 32 Issue 12, p1011-1013. 3p. 3 Diagrams.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje