Zobrazeno 1 - 10
of 44
pro vyhledávání: '"KHOR, K. E."'
Autor:
Khor, K. E., Sarma, Sankar Das
Recent experiments show that the islanding behavior during chemical vapor deposition (CVD) of Si on Si(111) using disilane (Si${_2}$H${_6}$) is quite different from that due to molecular beam epitaxy (MBE). While the latter can be understood using ra
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0312593
Autor:
Khor, K. E., Sarma, S. Das
We use Monte-Carlo simulations to study island formation in the growth of thin semiconducting films deposited on lattice-mismatched substrates. It is known that islands nucleate with critical nuclei of about one atom and grow two dimensionally until
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0001145
Motivated by the recent investigations on instabilities caused by Schwoebel barriers during growth and their effects on growth or sublimation by step flows, we have investigated, using the Stillinger-Weber potential, how this step edge barrier arises
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9603033
Motivated by our previous work using the Stillinger-Weber potential, which shows that the [$\overline{2}11$] step on 1$\times$1 reconstructed Si(111) has a Schwoebel barrier of 0.61$\pm$0.07 eV, we calculate here the same barrier corresponding to two
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9603035
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physics of Semiconductors - Proceedings of the 20th International Conference (In 3 Volumes); 1990, p2217-2220, 4p
