Výsledky vyhledávání - "KHELIFATI, N."

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

An Efficient Optimized RTP Process to Minimize Light Induced Degradation Phenomenon and Their Effect on Surface Roughness in p-Type Cz-Si Wafers

Autor: Kouhlane, Y., Bouhafs, D., Khelifati, N., Mezghiche, S., Guenda, A., Hetatache, W., Derkaoui, F.

35th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 539-542
In this study, the carrier lifetime variation of p-type boron-doped Czochralski silicon (Cz-Si) wafers was investigated after a direct rapid thermal processing (RTP). Two

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4692e35f378fcd6fa34cab5085e37b43

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Adequate Method for Decoupling Bulk Lifetime and Surface Recombination Velocity in Silicon Wafers.

Autor: KHELIFATI, N.^1,2 n.khelifati@gmail.com, BOUHAFS, D.¹, MEBAREK-AZZEM, A.³, ABAIDIA, S. EL-HAK², PALAHOUANE, B.¹, KOUHLANE, Y.¹

Publikováno v: Acta Physica Polonica: A. 2016, Vol. 130 Issue 1, p188-190. 3p.

Zobrazit plný text záznamu

Investigation on the Phosphorus Diffusion Gettering Mechanism of Chromium in Multi-Crystalline Silicon

Autor: Khelifati, N., Bouhafs, D., Abaidia, S.-E.-H., Kouhlane, Y.

33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 573-575
this work, we combine experimental results and their simulation to investigate the phosphorus diffusion gettering (PDG) of chromium in multi-crystalline silicon (mc-Si),

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6ae7f94e4c6aa7128229537f0d0469bb

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

Hydrothermal Synthesis and Characterization of K7V5W8O40·12H2O: Application to Rhodamine B Removal by Adsorption/Photocatalysis

Autor: Bagtache, R., Khelifati, N., Slimani, H., Abdmeziem, K., Trari, M.

Publikováno v: Chemistry Africa; March 2020, Vol. 3 Issue: 1 p161-170, 10p

Zobrazit plný text záznamu

Influence of RTP Process on the Carrier Lifetime in Bare Cz Silicon Wafers

Autor: Kouhlane, Y., Bouhafs, D., Si-Kaddour, R., Boufnik, R., Khelifati, N., Boucheham, A.

31st European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 626-628
Solar cells made from Boron doped Czochralski grown silicon ingots (Cz-Si) have the advantage of a higher efficiency potential. However, the lifetime of minority charge c

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8e6371280c3a85d9847997890f675caf

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Modeling of Experimental QSSPC Curves to Study the Impact of Extended Gettering Time on Recombination-Trapping Activity in HEM Multicrystalline Silicon

Autor: Khelifati, N., Bouhafs, D., Abaidia, S.E.H., Boumaour, M., Palahouane, B.

27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 977-979
We have investigated the effect of extended phosphorus diffusion gettering (PDG) on recombination and trapping activity in multicrystalline silicon (mc-Si). The study was

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::271eab35255929d37c6e300d9cc22bf1

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání