Zobrazeno 1 - 10
of 62
pro vyhledávání: '"KARPYNA, V."'
Autor:
Ievtushenko, A., Karpyna, V., Khyzhun, O., Bykov, O., Olifan, O., Lytvyn, P., Yarmolenko, O., Tkach, V., Baturin, V., Karpenko, О.
Publikováno v:
In Vacuum September 2023 215
Autor:
Ievtushenko, A. I.1 a.ievtushenko@yahoo.com, Karpyna, V. A.1 v_karpina@ukr.net, Bykov, O. I.1, Dranchuk, M. V.1, Kolomys, O. F.2, Maziar, D. M.2 fmbfiz13.mazyar@kpnu.edu.ua, Strelchuk, V. V.2 viktor.strelchuk@ccu-semicond.net, Starik, S. P.3, Baturin, V. A.4, Karpenko, О. Y.4, Lytvyn, O. S.5 o.lytvyn@kubg.edu.ua
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2023, Vol. 26 Issue 4, p398-407. 10p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Karpyna, V. A.1 v_karpina@ukr.net, Myroniuk, L. A.1, Myroniuk, D. V.1, Bugaiova, M. E.1, Petrosian, L. I.1, Bykov, O. I.1, Olifan, O. I.1, Strelchuk, V. V.2, Kolomys, O. F.2, Romanyuk, V. R.2, Naumenko, K. S.3, Artiukh, L. O.3, Povnitsa, O. Y.3, Zahorodnia, S. D.3, Ievtushenko, A. I.1
Publikováno v:
Chemistry, Physics & Technology of Surface / Khimiya, Fizyka ta Tekhnologiya Poverhni. 2023, Vol. 14 Issue 1, p83-92. 10p.
Autor:
KARPYNA, V.1, MYRONIUK, L.1 liliiamolotovska@gmail.com, BYKOV, O.1, MYRONIUK, D.1, KOLOMYS, O.2, STRELCHUK, V.2, PETROSIAN, L.1, IEVTUSHENKO, A.1
Publikováno v:
Acta Physica Polonica: A. Nov2022, Vol. 142 Issue 5, p644-650. 7p.
Autor:
Ievtushenko, A., Karpyna, V., Eriksson, J., Tsiaoussis, I., Shtepliuk, I., Lashkarev, G., Yakimova, R., Khranovskyy, V.
Publikováno v:
In Superlattices and Microstructures May 2018 117:121-131
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 31 August 2012 520(21):6499-6502
Autor:
Myroniuk, L. A., Dusheyko, M. G., Karpyna, V. A., Myroniuk, D. V., Bykov, O. I., Olifan, O. I., Kolomys, O. F., Strelchuk, V. V., Korchovyi, A. A., Starik, S. P., Tkach, V. M., Ievtushenko, A. I.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2022, Vol. 25 Issue 2, p164-172, 9p
Autor:
Popovych, V. I., Ievtushenko, A. I., Lytvyn, O. S., Romanjuk, V. R., Tkach, V. M., Baturyn, V. A., Karpenko, O. Y., Dranchuk, M. V., Klochkov, L. O., Dushejko, M. G., Karpyna, V. A., Lashkarov, G. V.
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 61 No. 4 (2016); 325
Український фізичний журнал; Том 61 № 4 (2016); 325
Український фізичний журнал; Том 61 № 4 (2016); 325
ZnO:Al films are deposited layer-by-layer onto silicon and glass substrates, by using the radio-frequency magnetron sputtering method at various argon pressures from 0.5 to 2 Pa in a deposition chamber. The influence of this pressure on the structure