Zobrazeno 1 - 10
of 224
pro vyhledávání: '"K.Y Gao"'
Autor:
S.S. Liang, J.R. Ma, K.H. Guo, S.P. Wen, W. Wei, X.L. Wu, H. Huang, K.Y. Gao, B.S. Liu, X.Y. Xiong, Z.R. Nie
Publikováno v:
Journal of Materials Research and Technology, Vol 24, Iss , Pp 430-439 (2023)
The effect of Er and Si on the evolution of precipitates in Al–Cu–Mg alloys during elevated temperature exposure was investigated. The Er segregation in θ′-Al2Cu precipitates and Si/Mg co-segregation at the interfaces of θ'/Al matrix are expe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5a7190d2f0114c1daf43f1f54bbc2c5b
Publikováno v:
Animal, Vol 16, Iss 7, Pp 100576- (2022)
Lignification of cellulose limits the effective utilisation of fibre in plant cell wall. Lignocellulose-degrading bacteria secrete enzymes that decompose lignin and have the potential to improve fibre digestibility. Therefore, this study aimed to inv
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6c78c8a64f094c689dce2a1eda0d80a8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: A. 842:143085
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 196:68-74
The semiconducting ZnS nanocrystallites were synthesized by sequential high dose ion implantation of Zn and S in thermally grown SiO 2 on Si(1 0 0) and subsequent rapid thermal annealing (RTA). Some samples were pre-implanted with Ar ions in order to
Publikováno v:
Physical Review B. 62:1647-1650
Growth of surface fractal patterns of Ni disilicide was induced by high-current pulsed Ni ion implantation into Si wafers. By increasing the substrate temperature and the supplemental Ni deposited on Si wafers, the fractal dimensions were determined
Publikováno v:
Applied Physics A: Materials Science & Processing. 68:333-337
and Si lattices at 380 °C, which was defined as zero-mismatch temperature. The implantation was conducted with a metal vapor vacuum arc (MEVVA) ion implanter at an extraction voltage of 45 kV. Based on a thermal conduction estimation, a temperature