Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"K.V.O. Rabah"'
Autor:
K.V.O. Rabah .
Publikováno v:
Information Technology Journal. 4:87-95
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3619af3d2b4233f9c3b5d5a6ca09c47f
https://doi.org/10.3923/itj.2005.87.95
https://doi.org/10.3923/itj.2005.87.95
Autor:
K.V.O. Rabah
Publikováno v:
3D Africon Conference. Africon '92 Proceedings (Cat. No.92CH3215).
The temperature-dependence problem of power transistors under the static and switching condition has been addressed. A novel development of the MOS-bipolar hybrid module concept facilitates the neutralization of the thermal delays in the turn-off, an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::85290c7eaa4fb2eddca9f5ed9cb4f842
https://doi.org/10.1109/afrcon.1992.624424
https://doi.org/10.1109/afrcon.1992.624424
Autor:
M.J. Lazarus, K.V.O. Rabah
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 13:120-122
A robust transistor configuration is described for high-frequency pulse operation of fluorescent lighting, eliminating the need for clamping diode wastage of the turn-off spike energy, and facilitating the use of ferrite yoked autotransformers to cou
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d12e63c707de2e08d0c7edc2fe504fc9
https://doi.org/10.1109/55.144978
https://doi.org/10.1109/55.144978
Autor:
K.V.O. Rabah
Publikováno v:
IEE Proceedings G Circuits, Devices and Systems. 138:510
The problem of the temperature dependence of power transistors, under static conditions and switching times, has been addressed. The usual simplified differential equation has been extended to nonlinear analysis. The nonlinear differential equation h
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e719631028c7823a756542cc058e1257
https://doi.org/10.1049/ip-g-2.1991.0085
https://doi.org/10.1049/ip-g-2.1991.0085
Publikováno v:
IEE Proceedings I Solid State and Electron Devices. 135:155
A new technique is presented that restores the feature of nearly constant current (high output slope resistance) of intensively self heated power MOSFETs. Two versions are provided: one for the conventional MOSFETs; the second for the new current sen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cf2ea76c2c27201c2881b75de253d2ec
https://doi.org/10.1049/ip-i-1.1988.0027
https://doi.org/10.1049/ip-i-1.1988.0027
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.