Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"K.V. Loiko"'
Publikováno v:
Solid State Phenomena. :225-230
Publikováno v:
Solid State Phenomena. :219-224
Publikováno v:
IEEE 1997 Annual Report Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena.
The electrical properties of plasma-enhanced undoped silicon dioxide and subatmospheric pressure chemical vapor deposited borophosphosilicate glass films used in sub-half-micron ULSI were investigated and compared for 200 mm p-type silicon wafers. Th
Autor:
K.V. Loiko, G. Nallapati
Publikováno v:
2000 5th International Symposium on Plasma Process-Induced Damage (IEEE Cat. No.00TH8479).
The role of plasma induced damage during active nitride etch in silicon defect generation was investigated. A correlation was established between the overetch pattern and surface densities of stacking faults and dislocations. High junction leakage an
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.