Zobrazeno 1 - 10
of 372
pro vyhledávání: '"K.R. Evans"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Bulletin of Geosciences. :595-620
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 22:1445-1448
Samples of molecular beam epitaxial GaAs grown at low temperatures doped with Be defects are studied as a function of growth temperature (TG)-by measuring their localized vibrational modes at 77K using BOMEM Fourier transform infrared spectrometer. L
Publikováno v:
CIÊNCIAVITAE
Scopus-Elsevier
Scopus-Elsevier
The lattice site location of Er in semiconducting materials received considerable interest because its 4 I 13 2 −4 I 15 2 intra-4f shell luminescence, occuring at a wavelength of 1.54 μm, falls in the minimum absorption window for silica-based fib
Autor:
C. E. Stutz, C. A. Bozada, Godfrey Gumbs, M. O. Manasreh, W.C. Mitchel, Chao Zhang, Ikai Lo, K.R. Evans
Publikováno v:
Superlattices and Microstructures. 11:423-427
The 2-dimensional electron gas (2DEG) in an Al0.6Ga0.4Sb/InAs single quantum well is studied using cyclotron resonance and Shubnikov - de Haas (SdH) techniques. The effective mass (m∗) of the 2DEG was obtained from the peak positions of the cyclotr
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 38:1280-1284
The authors develop a simple model for the effects of a buffer layer on free-carrier depletion from a conductive semiconductor layer. Poisson's equation is solved in the depletion approximation to give an expression for the sheet free-carrier charge
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.