Zobrazeno 1 - 10
of 896
pro vyhledávání: '"K.R. Evans"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Bulletin of Geosciences. :595-620
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Crabtree, Jordan R.1, Mulenga, Chilando M.1, Tran, Khoa1, Feinberg, Konstantin1, Santerre, J. Paul2, Borschel, Gregory H.1,3 gborsche@iu.edu
Publikováno v:
Bioengineering (Basel). Aug2024, Vol. 11 Issue 8, p776. 29p.
Autor:
Esmail, Abdullah1 (AUTHOR) AEsmail@houstonmethodist.org, Badheeb, Mohamed2 (AUTHOR), Alnahar, Batool Wael3 (AUTHOR), Almiqlash, Bushray4 (AUTHOR) bushrayalmiqlash11@gamil.com, Sakr, Yara5 (AUTHOR), Al-Najjar, Ebtesam1 (AUTHOR), Awas, Ali6 (AUTHOR), Alsayed, Mohammad7 (AUTHOR), Khasawneh, Bayan1 (AUTHOR), Alkhulaifawi, Mohammed7 (AUTHOR), Alsaleh, Amneh8 (AUTHOR), Abudayyeh, Ala9 (AUTHOR), Rayyan, Yaser10 (AUTHOR), Abdelrahim, Maen1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Pharmaceuticals (14248247). Jul2024, Vol. 17 Issue 7, p910. 27p.
Autor:
Acevedo Cintrón, Jesús A.1 (AUTHOR) jacevedo@wustl.edu, Hunter, Daniel A.1 (AUTHOR), Schellhardt, Lauren1 (AUTHOR), Pan, Deng1 (AUTHOR), Mackinnon, Susan E.1 (AUTHOR), Wood, Matthew D.1 (AUTHOR) woodmd@wustl.edu
Publikováno v:
International Journal of Molecular Sciences. Jun2024, Vol. 25 Issue 12, p6413. 18p.
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 22:1445-1448
Samples of molecular beam epitaxial GaAs grown at low temperatures doped with Be defects are studied as a function of growth temperature (TG)-by measuring their localized vibrational modes at 77K using BOMEM Fourier transform infrared spectrometer. L
Publikováno v:
CIÊNCIAVITAE
Scopus-Elsevier
Scopus-Elsevier
The lattice site location of Er in semiconducting materials received considerable interest because its 4 I 13 2 −4 I 15 2 intra-4f shell luminescence, occuring at a wavelength of 1.54 μm, falls in the minimum absorption window for silica-based fib