Zobrazeno 1 - 10
of 79
pro vyhledávání: '"K.O. Petrosyants"'
Publikováno v:
Proceedings of Universities. Electronics. 26:374-386
Transition from planar MOSFET structures to FinFET 3D structures ensures various radiation type resistance. However, the characteristics of radiation-exposed devices made at different factories vary considerably and it is hard to explain FinFET struc
Publikováno v:
Problems of advanced micro- and nanoelectronic systems development. :2-6
Autor:
I.A. Kharitonov, K.O. Petrosyants
Publikováno v:
Problems of advanced micro- and nanoelectronic systems development. :49-56
Autor:
K.O. Petrosyants, D.A. Popov
Publikováno v:
Proceedings of Universities. Electronics. 23:521-525
Publikováno v:
Problems of advanced micro- and nanoelectronic systems development. :111-117
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.