Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"K.N. ManjulaRani"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 4:18-23
In this paper, we study the stress voltage polarity-dependent reliability of n-channel metal-nitride-silicon field-effect transistors (MNSFETs) with ultrathin jet vapor deposited (JVD) silicon nitride dielectric. Under constant voltage stress, device
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a55d129d244456cce2ad5a6efa45dc67
https://doi.org/10.1109/tdmr.2004.824366
https://doi.org/10.1109/tdmr.2004.824366
Autor:
K.N. ManjulaRani, N. Lakshminarayanan, Nayan Patel, Samanta Santanu Kumar, Geetha Narasimhan, Helmut Puchner, Ravindra Kapre, Ram Mohan Mooraka
Publikováno v:
2009 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report.
In this work, we report degradation study in 65nm technology NMOS I/O transistors (Tox=55 A) for different channel widths. Devices were stressed at maximum substrate current condition in order to stimulate HCI degradation. These measurements were val
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::96a56b2c808222068fea0af7be8f8e7c
https://doi.org/10.1109/irws.2009.5383015
https://doi.org/10.1109/irws.2009.5383015
Publikováno v:
2007 International Workshop on Physics of Semiconductor Devices.
TDDB (time-dependent-dielectric-breakdown) method used to predict the gate oxide lifetime is based on DC stress. But the product-level burn-in tests are done with AC stress pulses applied to the chip. DC lifetime does not predict the effect of burn-i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bcc034e4bbf45aa72b23ee9a35da1c06
https://doi.org/10.1109/iwpsd.2007.4472493
https://doi.org/10.1109/iwpsd.2007.4472493
Publikováno v:
2007 International Workshop on Physics of Semiconductor Devices.
Negative Bias Temperature Instability (NBTI) is one of the key reliability issues for deep sub-micron semiconductor technologies. In this paper, geometry dependence on the NBTI performance of the PMOS FET is studied by conducting measurements on diff
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bbd5d815f6470d289c27cf386ed10a91
https://doi.org/10.1109/iwpsd.2007.4472474
https://doi.org/10.1109/iwpsd.2007.4472474
Publikováno v:
Proceedings of the 10th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits. IPFA 2003.
In this paper, we study the reliability of n-channel Metal-Nitride-Silicon FETs fabricated using ultrathin Jet Vapor Deposited (JVD) Silicon Nitride gate dielectric under constant voltage stressing. Due to the stress, shifts in threshold voltage and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4d6522cca06357a1e71d99a81a96a52d
https://doi.org/10.1109/ipfa.2003.1222759
https://doi.org/10.1109/ipfa.2003.1222759
Publikováno v:
IndraStra Global.
In this paper, a new method for measuring border trap density (nBT) in submicron transistors using hysteresis in the drain current is proposed. This method is used to measure energy and spatial distribution of border traps in jet vapor deposited (JVD
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::77262896ec51339bd43b7e47f077b5dc
https://igi.indrastra.com/items/show/59249
https://igi.indrastra.com/items/show/59249
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.