Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"K.M. Ching"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Winston Shue, Y.J. Lu, W.C. Chiou, C.H. Yu, Y.C. Lin, M. F. Chen, T.D. Wang, C.L. Yu, H.P. Hu, H.J. Tu, M.H. Tseng, K.M. Ching, Ding-Yuan Chen, Hun-Hsien Chang, C.S. Hsu, Ching-Wen Hsiao, W.J. Wu, Kuo-Nan Yang
Publikováno v:
2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
High density through-silicon-via (TSV) and cost-effective 3D die-to-wafer integration scheme are proposed as best-in-class foundry solutions for high-end CMOS chips at 28 nm node and beyond. Key processes include: TSV formation, extreme thinning of t
Publikováno v:
2007 IEEE International Vacuum Electronics Conference.
L-3 Communications Electron Technologies, Inc. (L-3 ETI) continues its development of high efficiency traveling-wave tubes (TWTs) for space communications with the 2006 development of a 250 W - 300 W S-band TWT and a 100 W K-band TWT. These TWTs will
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.