Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"K.L. Averett"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 20:511-514
InAs bipolar junction transistors (BJTs), grown by molecular beam epitaxy, are reported with common emitter current gains (β's) as large as 400. The factors affecting the common emitter current gain have been studied by estimating the magnitudes of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bb2adfe331d4eba0ef315f026e1a8c76
https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.08.069
https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.08.069
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 251:852-857
Two advances in InAs-based bipolar transistor technology are reported. Metamorphic InAs bipolar junction transistors (BJTs), grown on semi-insulating GaAs substrates, are reported for the first time, showing current gains comparable to similar struct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b151fee327bbb68b83999eeca74b5a96
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02366-7
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02366-7
Publikováno v:
International Conference on Molecular Bean Epitaxy.
The large electron mobility and high saturation velocity of InAs make it a promising material for the operation of high speed electronic devices. As semiconductor scaling continues to reduce device size, the smaller bandgap III-Vs, such as InAs, play
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fbf177f4fd225c2a4bbd3359d157de5c
https://doi.org/10.1109/mbe.2002.1037779
https://doi.org/10.1109/mbe.2002.1037779
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.