Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"K.J. Petrosky"'
Autor:
K.J. Petrosky, P.M. Esker, Eric J. Stewart, G.M. Bates, T.A. Flint, S. Van Campen, T.J. Knight, G.C. De Salvo, R.C. Clarke, J.A. Ostop
Publikováno v:
International Journal of High Speed Electronics and Systems. 14:906-908
There are many commercial applications which require high RF CW power in the kilowatt to megawatt range. To date, these high RF power requirements can only be accomplished by incorporating traveling wave tubes (TWT) or inductive output tubes (IOT). H
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d12f00ea0744a2a9387dfcf636510db3
https://doi.org/10.1142/s0129156404003022
https://doi.org/10.1142/s0129156404003022
Autor:
G.M. Bates, K.J. Petrosky, P.M. Esker, J.A. Ostop, R.C. Clarke, Eric J. Stewart, G.C. De Salvo, T.A. Flint, S. Van Campen, T.J. Knight
Publikováno v:
Proceedings. IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices, 2004..
There are many commercial applications which require high RF CW power in the kilowatt to megawatt range. To date, these high RF power requirements can only be accomplished by incorporating traveling wave tubes (TWT) or inductive output tubes (IOT). H
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f9a3468cb9b393197f2156700b8ca3d3
https://doi.org/10.1109/lechpd.2004.1549707
https://doi.org/10.1109/lechpd.2004.1549707
Autor:
W. J. Malkowski, B.A. Morick, J. R. Gigante, K.J. Petrosky, A.W. Morse, R.R. Barron, G. C. DeSalvo, Rowland C. Clarke, W.R. Curtice, T.J. Knight, J.A. Ostop
Publikováno v:
60th DRC. Conference Digest Device Research Conference.
The Static Induction Transistor (SIT) has proven itself as an appropriate device to take full advantage of the high breakdown field strength, thermal conductivity, and electron velocity characteristics of silicon carbide. Microwave SITs using metal S
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4f9d1c9cce6e737928ea8f14c6cc552b
https://doi.org/10.1109/drc.2002.1029586
https://doi.org/10.1109/drc.2002.1029586
Publikováno v:
1996 54th Annual Device Research Conference Digest.
Summary form only given. Due to the progress of epitaxial base technology, Si/SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) have continually out-performed their Si counterparts. In this work, the precept is again affirmed by the demonstration of ver
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0a12d23d9e8242bc1edfe9f51eeb946d
https://doi.org/10.1109/drc.1996.546308
https://doi.org/10.1109/drc.1996.546308
Publikováno v:
1996 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest.
Large-area Si/Si/sub 1-x/Ge/sub x/ HBTs were demonstrated with record output power at S-Band. Under pulsed conditions in class C operation, >230 W saturated power was achieved at 2.8 GHz. At 200 W the device exhibited a collector efficiency of 46% an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3a1cd8330ef45c4f425f04f7b8d989eb
https://doi.org/10.1109/mwsym.1996.511029
https://doi.org/10.1109/mwsym.1996.511029
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.