Zobrazeno 1 - 10
of 92
pro vyhledávání: '"K.H. Yeo"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Acta Horticulturae. :1115-1120
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::85f23f7824b1c4138a76cc3b0774e792
https://doi.org/10.17660/actahortic.2014.1037.148
https://doi.org/10.17660/actahortic.2014.1037.148
Autor:
H.-J. Cho, H.S. Oh, K.J. Nam, Y.H. Kim, K.H. Yeo, W.D. Kim, Y.S. Chung, Y.S. Nam, S.M. Kim, W.H. Kwon, M.J. Kang, I.R. Kim, H. Fukutome, C.W. Jeong, H.J. Shin, Y.S. Kim, D.W. Kim, S.H. Park, J.H. Jeong, S.B. Kim, D.W. Ha, J.H. Park, H.S. Rhee, S.J. Hyun, D.S. Shin, D.H. Kim, H.Y. Kim, S. Maeda, K.H. Lee, M.C. Kim, Y.S. Koh, B. Yoon, K. Shin, N.I. Lee, S.B. Kangh, K.H. Hwang, J.H. Lee, J.-H. Ku, S.W. Nam, S.M. Jung, H.K. Kang, J.S. Yoon, E.S. Jung
Publikováno v:
2016 IEEE Symposium on VLSI Technology.
10nm logic technology using Si FinFET is developed for low power and high performance applications. Power-speed gain of 27% compared to 14nm technology node was obtained using four key developments: 1) advanced gate stack engineering enabling 4 multi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d8be10c587190525d0b9456ac1b7f5ca
https://doi.org/10.1109/vlsit.2016.7573359
https://doi.org/10.1109/vlsit.2016.7573359
Publikováno v:
Applied Physics B. 87:297-300
We report the observation of suppression of the green photoluminescence from an optically active ZnO-infiltrated composite opal fabricated by electrodeposition templated on a self-assembled polystyrene opal. This is interpreted to be the consequence
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::10c3ee1994bed6c09c5ffa36dacd3905
https://doi.org/10.1007/s00340-006-2571-9
https://doi.org/10.1007/s00340-006-2571-9