Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"K.H Yuan"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
L.L Zhang, L.F Lu, J.F Qi, R.J Feng, Y.D Zhang, P Cheng, X.B Zhang, Y Ren, K.H Yuan, X.L Xu, L.Y Zhou
Publikováno v:
Phyton. 79:163-168
Un ADNc de banano (Musa AAA, Cavendish subgroup cv. Brazil) que codifica para una rubredoxina putativa (MaRd1) fue obtenido a partir de ARN total aislado de hojas de banano tratadas con frio por la tecnica de amplificacion rapida de los extremos del
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::11a2677949ebaf6a3973dbdc6a0cb342
https://doi.org/10.32604/phyton.2010.79.163
https://doi.org/10.32604/phyton.2010.79.163
Publikováno v:
Infrared Physics & Technology. 50:119-123
The article of record as published may be found at https://doi.org/10.1016/j.infrared.2006.10.025 p-type quantum-well infrared photodetectors (QWIPs) demonstrate normal incidence response due to band mixing by utilizing valence band transitions that
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fbf1c216971caf7c74e6c963d29ba38d
https://doi.org/10.1016/j.infrared.2006.10.025
https://doi.org/10.1016/j.infrared.2006.10.025
Publikováno v:
Thin Solid Films. 515:4450-4453
High quality InGaAsP/InP MQWs structures, grown by solid source molecular beam epitaxy, with different doping concentrations in the wells were investigated. High doping concentrations benefits absorption but is not good for dark current. The photocur
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::70b5e719ed06c26ca86b9dcdbec3128f
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2006.07.126
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2006.07.126
Publikováno v:
Thin Solid Films. 391:36-41
High-resolution X-ray diffraction (HRXRD) was used to characterize linearly graded metamorphic InGaP buffer layers grown at different temperatures on GaAs substrate by solid-source molecular beam epitaxy. The sample grown at 380°C did not exhibit a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c419de91dc28267ba6c642bac8e399cd
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(01)00966-x
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(01)00966-x
Publikováno v:
Proceedings 2000 IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting (Cat. No.00TH8503).
This paper presents short-channel effects of SOI partially-depleted (PD) dynamic-threshold MOS (DTMOS) devices using a compact model derived from a quasi-2D approach and MEDICI 2D simulation. Based on the analytical model, as verified by the 2D simul
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::30353b864dc5d60166965d611d4a85ea
https://doi.org/10.1109/hkedm.2000.904213
https://doi.org/10.1109/hkedm.2000.904213
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.