Zobrazeno 1 - 10 of 38 pro vyhledávání: '"K.F. Shtel'makh"'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Fabrication of Light-Emitting Diodes with Dislocation-Related Luminescence by Annealing of Electron-Irradiated Silicon
Autor: P. N. Aruev, Nikolai A. Sobolev, A. E. Kalyadin, Elena I. Shek, V. V. Zabrodskiy, Artur Medvids, K.F. Shtel'makh, Lue Lue Xiang, A. S. Loshachenko, V. I. Vdovin, Deren Yang
Publikováno v: Solid State Phenomena. :305-310
Structural defects induced by electron irradiation of n-Cz-Si wafers were identified. The influence of the annealing conditions in a chlorine-containing atmosphere on the structural and luminescent properties of the samples was examined and the optim
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::78e8c3f7baed1251af527d790c344d20
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.205-206.305
Zobrazit plný text záznamu
5
Excitation cross-section and lifetime of the excited state of erbium ions in avalanching light-emitting Si:Er:O diodes
Autor: A. M. Emel’yanov, K.F. Shtel'makh, M. A. Trishenkov, Yu.A. Nikolaev, P. E. Khakuashev, Nikolai A. Sobolev
Publikováno v: Journal of Luminescence. 80:315-319
Electroluminescence (EL) characteristics of avalanching silicon diodes fabricated by Er and O co-implantation and subsequent annealing have been studied. Saturation of the Er-related EL intensity is achieved under the avalanche regime at current dens
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7fa4eee99f7818630f928ee9ff6955a5
https://doi.org/10.1016/s0022-2313(98)00118-5
Zobrazit plný text záznamu
8
Partly filled impurity band formation in compensated InP:Mn
Autor: K.F. Shtel’makh, S.B. Mikhrin
Publikováno v: Physica B: Condensed Matter. :881-883
In this work, we present the results of the study of a compensated InP slightly doped with manganese. In this material, a large drop of resistivity (more than 10 4 ) with temperature decrease (120–100 K) has been observed. In order to clarify the m
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3c634e136633a8387ac248056811c748
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00942-5
Zobrazit plný text záznamu
9
Avalanche breakdown-related electroluminescence in single crystal Si:Er:O
Autor: K.F. Shtel'makh, Nikolai A. Sobolev, A. M. Emel’yanov
Publikováno v: Applied Physics Letters. 71:1930-1932
Er3+-related electroluminescence (EL) at ∼1.54 μm from single-crystal silicon light-emitting diodes fabricated by erbium and oxygen co-implantation and subsequent annealing has been observed in the avalanche breakdown regime in the 80–300 K temp
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::32f871ee044d3ba689fc0affe27fb0a1
https://doi.org/10.1063/1.119984
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje