Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"K.F. Dombrowski"'
Publikováno v:
ResearcherID
We present an investigation of local mechanical stress in shallow trench isolation by UV micro-Raman spectroscopy. UV light (364 nm) penetrates only 15 nm into silicon. In contrast to conventional micro-Raman spectroscopy using visible light only the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::cf783324fc6567086fe1f3885a143544
https://doi.org/10.1016/s0026-2714(00)00260-2
https://doi.org/10.1016/s0026-2714(00)00260-2
Autor:
Eckhard Grass, Alfonso Troya, K. Tittelbach-Helmrich, Rolf Kraemer, Ulrich Jagdhold, K.F. Dombrowski, O. Kruger, Koushik Maharatna, J. Lehmann, P. Mahonen, G. Lippert, N. Fiebig
Publikováno v:
IEEE Personal Communications. 8:48-57
Broadband wireless communication is the key technology to a new generation of products in the consumer market. The emerging standards for the 5 GHz band will form the basis for many applications requiring a high communication bandwidth. Low cost and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7ad6c01cd5c0e23d7db7e2bdcb2cc2d4
https://doi.org/10.1109/98.972168
https://doi.org/10.1109/98.972168
Autor:
K.F. Dombrowski, B. Kuck, Alexandra Fischer, V. Bukalo, E. Bugiel, H. H. Richter, B. Dietrich
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 82:1176-1178
We present the deconvolution of measurements of inhomogeneous mechanical stress in silicon device structures obtained by UV micro-Raman spectroscopy. Due to the very small UV penetration depth of only 12 nm, averaging of stress over the depth is almo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f729b4b2827f985d018a876a38711219
https://doi.org/10.1063/1.1555692
https://doi.org/10.1063/1.1555692
Autor:
Hugo Bender, V. Simons, Carsten Stüer, B. Dietrich, Rita Rooyackers, Alexandra Fischer, J. Van Landuyt, K.F. Dombrowski, Gonçal Badenes, I. De Wolf, S. Pochet
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318).
We present measurements of mechanical stress in shallow trench isolation (STI) device structures using micro-Raman spectroscopy with ultraviolet (UV) excitation. UV (364 nm) light penetrates only 12 nm into silicon, probing the stress near the silico
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8e3fec9cfa8cb17f21ea981fb014e34a
https://doi.org/10.1109/iedm.1999.824169
https://doi.org/10.1109/iedm.1999.824169
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 75:2450-2451
We present measurements of mechanical stress in silicon device structures by ultraviolet (UV) micro-Raman spectroscopy. The shorter wavelength of the UV light (364 nm) is the basis for two major improvements over conventionally used blue light (458 n
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a7d8914d77f79876c8dafeafda196dd8
https://doi.org/10.1063/1.125044
https://doi.org/10.1063/1.125044
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.