Zobrazeno 1 - 10
of 346
pro vyhledávání: '"K.C. Hsu"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Keh-Chung Wang, Feng-Ming Lee, Yu-Yu Lin, G.Y. Chen, Chun-Chang Lu, Po-Hao Tseng, K.Y. Hsieh, Meng-Chyi Wu, H.L. Lung, Dai-Ying Lee, Ming-Hsiu Lee, K.C. Hsu
Publikováno v:
2019 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA).
The forming voltage and temperature for creating the first filament in the RRAM device are found having impacts on RRAM reliability. The correlation between the forming temperature and the required voltage was evaluated on the WOx/TiOx RRAM devices,
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C.H. Wang, F.M. Lee, Y.Y. Lin, P.H. Tseng, K.C. Hsu, D.Y. Lee, M.H. Lee, H.L. Lung, K.Y. Hsieh, K.C. Wang, C.Y. Lu
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2016 13th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT).
Hidden in the widely accepted filamentary conduction mechanism for TMO ReRAM is that only a few atoms/vacancy defects control the resistance, thus these devices are intrinsically vulnerable to statistical fluctuation. Experimental results show that i