Zobrazeno 1 - 10
of 268
pro vyhledávání: '"K.C., Santosh"'
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 August 2022 593
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Engineering, Vol 1, Iss 3, Pp 372-377 (2015)
Given the demand for constantly scaling microelectronic devices to ever smaller dimensions, a SiO2 gate dielectric was substituted with a higher dielectric-constant material, Hf(Zr)O2, in order to minimize current leakage through dielectric thin film
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/83a886757312490bac6d9c23408028fd
Publikováno v:
Engineering Applications of Artificial Intelligence. 116:105489
Publikováno v:
Computer Science Review. 46:100515
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K.C. Santosh, Amit Joshi
The book aims to outline the issues of AI and COVID-19, involving predictions,medical support decision-making, and possible impact on human life. Starting withmajor COVID-19 issues and challenges, it takes possible AI-based solutions forseveral probl