Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"K.A.A. Sharshar"'
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. 416:50-57
Ternary chalcogenide glasses of BiSbSe 3 were synthesized by a conventional direct fusion technique. X-ray diffraction, transmission electron microscopy and scanning electron microscopy were used for structural and morphology characterization. Polycr
Autor:
G.A.M. Amin, K.A.A. Sharshar
Publikováno v:
Optical Materials. 29:1625-1629
Thin films of elemental Si and Ge were grown one after another onto glass substrate using electron beam evaporation method. Optical measurements were used to probe the thermally-induced effects on Si–Ge layers upon annealing at 100 °C. Thermal tre
Publikováno v:
Applied Radiation and Isotopes. 46:1337-1343
Ionizing radiation has been found to seriously change the electrical properties of solid-state devices, leading to possible systems failure. The ionizing radiation effects on different n- and p-channel MOSFETs have been studied, where the failure mec
Publikováno v:
Applied Radiation and Isotopes. 46:355-361
Theoretical and experimental studies on MOS capacitors built on p-type Si substrates with different Al2O3 thickness (100–600 A), have been carried out. The oxide capacitance, ( C min C max ) ratio and conductance are shown to be a function of both
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Noaman, K.A.A. Sharshar
Publikováno v:
Proceedings of the Twenty-First National Radio Science Conference, 2004. NRSC 2004..
A microwave oven radiated signal with frequency 2450 MHz at 30 dBm (1W) as a power was generated using RF generator type CW HP83712B to simulate and analyze the microwave oven radiation signal. The spectrum of the signal was given using HP8592L analy
Publikováno v:
Proceedings of the 12th IEEE International Conference on Fuzzy Systems (Cat. No.03CH37442).
Electron beam (1.5 MeV, 25 mA) irradiation increased the output of Light Emitting Diodes (LEDs), yellows from 23 lux up to 32 lux at 5 krads absorbed dose (low dose). Further irradiation, above 8 krads caused permanent damage associated with the atte
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.